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HCT7000M

HCT7000M

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MOSFET N-CH 60V 200MA 3SMD

HCT7000M データシート

非準拠

HCT7000M 価格と注文

単価 外貨価格
100 $21.30010 $2130.01
38 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 200mA (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 5Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs -
vgs (最大) ±40V
入力容量(ciss)(最大)@vds 60 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 300mW (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 3-SMD
パッケージ/ケース 3-SMD, No Lead
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$0 $/ピース
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NVTFWS9D6P04M8LTAG
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