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EGF1B-1HE3_A/I

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DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA

非準拠

EGF1B-1HE3_A/I 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
ダイオード型 Standard
電圧 - 直流逆電圧 (vr) (最大) 100 V
電流 - 平均整流 (io) 1A
電圧 - 順方向 (vf) (最大) @ if 1 V @ 1 A
スピード Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間 (trr) 50 ns
電流 - 逆方向漏れ @ vr 5 µA @ 100 V
静電容量 @ vr、f 15pF @ 4V, 1MHz
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース DO-214BA
サプライヤーデバイスパッケージ DO-214BA (GF1)
動作温度 - 接合部 -65°C ~ 175°C
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$0 $/ピース
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