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NSB8DT-E3/81

NSB8DT-E3/81

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DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB

非準拠

NSB8DT-E3/81 価格と注文

単価 外貨価格
800 $0.65305 $522.44
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
ダイオード型 Standard
電圧 - 直流逆電圧 (vr) (最大) 200 V
電流 - 平均整流 (io) 8A
電圧 - 順方向 (vf) (最大) @ if 1.1 V @ 8 A
スピード Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間 (trr) -
電流 - 逆方向漏れ @ vr 10 µA @ 200 V
静電容量 @ vr、f 55pF @ 4V, 1MHz
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ TO-263AB (D²PAK)
動作温度 - 接合部 -55°C ~ 150°C
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