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2N6661-2

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 90V 860MA TO39

2N6661-2 データシート

compliant

2N6661-2 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 90 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 860mA (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 4Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs -
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 50 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-39
パッケージ/ケース TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
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関連部品番号

IRFR214TRL
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NTMFS4851NT3G
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SI1051X-T1-GE3
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SPI08N50C3
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SI4636DY-T1-E3
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SPD07N20
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FDMS9409-F085
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AUIRLS4030
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