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IRF630PBF-BE3

IRF630PBF-BE3

IRF630PBF-BE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB

非準拠

IRF630PBF-BE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.60000 $1.6
500 $1.584 $792
1000 $1.568 $1568
1500 $1.552 $2328
2000 $1.536 $3072
2500 $1.52 $3800
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 200 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 9A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) -
rds オン (最大) @ id、vgs 400mOhm @ 5.4A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 43 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 800 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 74W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220AB
パッケージ/ケース TO-220-3
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