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IRF640PBF-BE3

IRF640PBF-BE3

IRF640PBF-BE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB

SOT-23

非準拠

IRF640PBF-BE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $2.08000 $2.08
500 $2.0592 $1029.6
1000 $2.0384 $2038.4
1500 $2.0176 $3026.4
2000 $1.9968 $3993.6
2500 $1.976 $4940
456 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 200 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 18A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 180mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 70 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1300 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 125W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220AB
パッケージ/ケース TO-220-3
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関連部品番号

FDP2670
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$0 $/ピース
SI7858ADP-T1-E3
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BSS64E6327
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$0 $/ピース
STP40NF20
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$0 $/ピース
AOWF600A70F
FCH20N60
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$0 $/ピース
BFL4037-1E
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MTB10N40E
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$0 $/ピース
IPD60R1K0CEAUMA1
TK9J90E,S1E

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