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IRFD123PBF

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP

SOT-23

非準拠

IRFD123PBF 価格と注文

単価 外貨価格
2,500 $0.61600 -
5000 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 1.3A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 270mOhm @ 780mA, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 16 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 360 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.3W (Ta)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ 4-HVMDIP
パッケージ/ケース 4-DIP (0.300", 7.62mm)
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