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IRFD224PBF

IRFD224PBF

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 250V 630MA 4DIP

compliant

IRFD224PBF 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.66000 $1.66
10 $1.46600 $14.66
100 $1.15890 $115.89
500 $0.89870 $449.35
1,000 $0.70950 -
2,500 $0.66220 -
5,000 $0.62909 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 250 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 630mA (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 1.1Ohm @ 380mA, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 14 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 260 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 1W (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ 4-HVMDIP
パッケージ/ケース 4-DIP (0.300", 7.62mm)
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