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SI1011X-T1-GE3

SI1011X-T1-GE3

SI1011X-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 12V SC89-3

compliant

SI1011X-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ P-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 12 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 480mA (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 1.2V, 4.5V
rds オン (最大) @ id、vgs 640mOhm @ 400mA, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 800mV @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 4 nC @ 4.5 V
vgs (最大) ±5V
入力容量(ciss)(最大)@vds 62 pF @ 6 V
FET機能 -
消費電力(最大) 190mW (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ SC-89-3
パッケージ/ケース SC-89, SOT-490
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関連部品番号

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SUP75P03-07-E3
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IRL3102PBF
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