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SI1026X-T1-E3

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SI1026X-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563F

非準拠

SI1026X-T1-E3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ 2 N-Channel (Dual)
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 305mA
rds オン (最大) @ id、vgs 1.4Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 0.6nC @ 4.5V
入力容量(ciss)(最大)@vds 30pF @ 25V
パワー - 最大 250mW
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース SOT-563, SOT-666
サプライヤーデバイスパッケージ SC-89 (SOT-563F)
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