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SI1062X-T1-GE3

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SI1062X-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 20V SC89-3

非準拠

SI1062X-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.08800 -
6,000 $0.07920 -
15,000 $0.07040 -
30,000 $0.06600 -
75,000 $0.05852 -
150,000 $0.05632 -
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 530mA (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 1.5V, 4.5V
rds オン (最大) @ id、vgs 420mOhm @ 500mA, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 1V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 2.7 nC @ 8 V
vgs (最大) ±8V
入力容量(ciss)(最大)@vds 43 pF @ 10 V
FET機能 -
消費電力(最大) 220mW (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ SC-89-3
パッケージ/ケース SC-89, SOT-490
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