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SI1416EDH-T1-GE3

SI1416EDH-T1-GE3

SI1416EDH-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT-363

compliant

SI1416EDH-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.14746 -
6,000 $0.13899 -
15,000 $0.13052 -
30,000 $0.12035 -
75,000 $0.11612 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 3.9A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 2.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 58mOhm @ 3.1A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 1.4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 12 nC @ 10 V
vgs (最大) ±12V
入力容量(ciss)(最大)@vds -
FET機能 -
消費電力(最大) 2.8W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ SC-70-6
パッケージ/ケース 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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関連部品番号

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IRFR110TRLPBF-BE3
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NVMJS1D0N04CTWG
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SCT3040KLGC11
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FQB3N60CTM
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FDD6670A
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IRF9510PBF
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DMT6011LSS-13
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SI7716ADN-T1-GE3
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