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SI1902CDL-T1-GE3

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SI1902CDL-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 20V 1.1A SC-70-6

非準拠

SI1902CDL-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.14171 -
6,000 $0.13357 -
15,000 $0.12543 -
30,000 $0.11566 -
75,000 $0.11159 -
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel (Dual)
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 1.1A
rds オン (最大) @ id、vgs 235mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 1.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 3nC @ 10V
入力容量(ciss)(最大)@vds 62pF @ 10V
パワー - 最大 420mW
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
サプライヤーデバイスパッケージ SC-70-6
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関連部品番号

BUK9K29-100E,115
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IRF7304TRPBF
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PMDPB30XNZ
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BSM300D12P2E001
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SI7942DP-T1-GE3
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DMTH4007SPD-13
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IRFN214BTA
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SQJB40EP-T1_GE3
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