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SI1922EDH-T1-GE3

SI1922EDH-T1-GE3

SI1922EDH-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SOT-363

compliant

SI1922EDH-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.16245 -
6,000 $0.15255 -
15,000 $0.14265 -
30,000 $0.13572 -
75,000 $0.13500 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel (Dual)
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 1.3A
rds オン (最大) @ id、vgs 198mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 1V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 2.5nC @ 8V
入力容量(ciss)(最大)@vds -
パワー - 最大 1.25W
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
サプライヤーデバイスパッケージ SC-70-6
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関連部品番号

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