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SI1926DL-T1-GE3

SI1926DL-T1-GE3

SI1926DL-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SOT363

非準拠

SI1926DL-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.16245 -
6,000 $0.15255 -
15,000 $0.14265 -
30,000 $0.13572 -
75,000 $0.13500 -
0 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel (Dual)
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 370mA
rds オン (最大) @ id、vgs 1.4Ohm @ 340mA, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 1.4nC @ 10V
入力容量(ciss)(最大)@vds 18.5pF @ 30V
パワー - 最大 510mW
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
サプライヤーデバイスパッケージ SC-70-6
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関連部品番号

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CSD87353Q5D
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2N7002BKV,115
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IRF7507TRPBF
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PMV280ENEA,215
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NTMFD5C680NLT1G
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