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SI2308BDS-T1-GE3

SI2308BDS-T1-GE3

SI2308BDS-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3

compliant

SI2308BDS-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.18192 -
6,000 $0.17019 -
15,000 $0.15845 -
30,000 $0.15023 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 2.3A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 156mOhm @ 1.9A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 6.8 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 190 pF @ 30 V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.09W (Ta), 1.66W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ SOT-23-3 (TO-236)
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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関連部品番号

TP89R103NL,LQ
IRF9393TRPBF
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HUF75639S3
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SQJ186EP-T1_GE3
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$0 $/ピース
IXFR15N100Q3
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$0 $/ピース
DMP6350SQ-7
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$0 $/ピース
FDB86360-F085
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$0 $/ピース
IPB80N04S204ATMA2
RK7002BMHZGT116
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$0 $/ピース
AOI7S65

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