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SI2312BDS-T1-GE3

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SI2312BDS-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3

compliant

SI2312BDS-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.17653 -
6,000 $0.16577 -
15,000 $0.15501 -
30,000 $0.14748 -
30399 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 3.9A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 1.8V, 4.5V
rds オン (最大) @ id、vgs 31mOhm @ 5A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 850mV @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 12 nC @ 4.5 V
vgs (最大) ±8V
入力容量(ciss)(最大)@vds -
FET機能 -
消費電力(最大) 750mW (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ SOT-23-3 (TO-236)
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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関連部品番号

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IXTH1N200P3
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