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SI2312CDS-T1-GE3

SI2312CDS-T1-GE3

SI2312CDS-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3

SOT-23

非準拠

SI2312CDS-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.17148 -
6,000 $0.16103 -
15,000 $0.15058 -
30,000 $0.14326 -
75,000 $0.14250 -
8 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 6A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 1.8V, 4.5V
rds オン (最大) @ id、vgs 31.8mOhm @ 5A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 1V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 18 nC @ 5 V
vgs (最大) ±8V
入力容量(ciss)(最大)@vds 865 pF @ 10 V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ SOT-23-3 (TO-236)
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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関連部品番号

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IRF9610STRRPBF
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