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SI2324DS-T1-BE3

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SI2324DS-T1-BE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-23

非準拠

SI2324DS-T1-BE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.67000 $0.67
500 $0.6633 $331.65
1000 $0.6566 $656.6
1500 $0.6499 $974.85
2000 $0.6432 $1286.4
2500 $0.6365 $1591.25
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 1.6A (Ta), 2.3A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 234mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.8V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 10.4 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 190 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ SOT-23-3 (TO-236)
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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関連部品番号

G60N04K
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