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SI2324DS-T1-GE3

SI2324DS-T1-GE3

SI2324DS-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT23-3

compliant

SI2324DS-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.25270 -
6,000 $0.23730 -
15,000 $0.22190 -
30,000 $0.21112 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 2.3A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 234mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.9V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 10.4 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 190 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ SOT-23-3 (TO-236)
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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関連部品番号

IAUA120N04S5N014AUMA1
R6535KNZ4C13
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DMG3402LQ-7
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SQ4435EY-T1_BE3
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SI4062DY-T1-GE3
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STI33N65M2
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NVMFS5C628NT1G
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STD4NK80ZT4
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