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SI2336DS-T1-GE3

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SI2336DS-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT23-3

非準拠

SI2336DS-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.19855 -
6,000 $0.18645 -
15,000 $0.17435 -
30,000 $0.16588 -
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 5.2A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 1.8V, 4.5V
rds オン (最大) @ id、vgs 42mOhm @ 3.8A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 1V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 15 nC @ 8 V
vgs (最大) ±8V
入力容量(ciss)(最大)@vds 560 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.25W (Ta), 1.8W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ SOT-23-3 (TO-236)
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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関連部品番号

RM2304
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STD100N3LF3
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IRFB9N65APBF-BE3
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SI4425BDY-T1-E3
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