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SI2342DS-T1-GE3

SI2342DS-T1-GE3

SI2342DS-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23

SOT-23

非準拠

SI2342DS-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.19855 -
6,000 $0.18645 -
15,000 $0.17435 -
30,000 $0.16588 -
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 8 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 6A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 1.2V, 4.5V
rds オン (最大) @ id、vgs 17mOhm @ 7.2A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 800mV @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 15.8 nC @ 4.5 V
vgs (最大) ±5V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1070 pF @ 4 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2.5W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ SOT-23-3 (TO-236)
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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関連部品番号

NX138BKWF
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FDD5N50FTM-WS
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GPI65005DF
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SI7742DP-T1-GE3
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RM2310
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RCJ700N20TL
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