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SI3129DV-T1-GE3

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Vishay Siliconix

P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET TSOP

非準拠

SI3129DV-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.71000 $0.71
500 $0.7029 $351.45
1000 $0.6958 $695.8
1500 $0.6887 $1033.05
2000 $0.6816 $1363.2
2500 $0.6745 $1686.25
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 80 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 3.8A (Ta), 5.4A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 82.7mOhm @ 3.8A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 18 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 805 pF @ 40 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2W (Ta), 4.2W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 6-TSOP
パッケージ/ケース SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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関連部品番号

TSM13ND50CI
IXFN150N65X2
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STW40N60M2-4
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APT56F60B2
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$0 $/ピース
SQM35N30-97_GE3
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$0 $/ピース
BUK7E1R8-40E,127
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$0 $/ピース
NTMFS4847NAT1G
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IRLU3110ZPBF
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RM11N800TI
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$0 $/ピース

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