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SI3424BDV-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP

非準拠

SI3424BDV-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.24368 -
6,000 $0.22883 -
15,000 $0.21398 -
30,000 $0.20358 -
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 8A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 28mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 19.6 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 735 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2.1W (Ta), 2.98W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 6-TSOP
パッケージ/ケース SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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関連部品番号

SQM40P10-40L_GE3
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NTMFS4854NST3G
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IRL1004PBF
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SQ4483EY-T1_BE3
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