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SI3458BDV-T1-GE3

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SI3458BDV-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 4.1A 6TSOP

compliant

SI3458BDV-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.38985 -
6,000 $0.36455 -
15,000 $0.35190 -
30,000 $0.34500 -
1560 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 4.1A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 100mOhm @ 3.2A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 11 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 350 pF @ 30 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2W (Ta), 3.3W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 6-TSOP
パッケージ/ケース SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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関連部品番号

SIRC10DP-T1-GE3
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RD3L050SNFRATL
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