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SI3460BDV-T1-E3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP

compliant

SI3460BDV-T1-E3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.38985 -
6,000 $0.36455 -
15,000 $0.35190 -
30,000 $0.34500 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 8A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 1.8V, 4.5V
rds オン (最大) @ id、vgs 27mOhm @ 5.1A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 1V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 24 nC @ 8 V
vgs (最大) ±8V
入力容量(ciss)(最大)@vds 860 pF @ 10 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2W (Ta), 3.5W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 6-TSOP
パッケージ/ケース SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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