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SI3460DDV-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 20V 7.9A 6TSOP

非準拠

SI3460DDV-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.16245 -
6,000 $0.15255 -
15,000 $0.14265 -
30,000 $0.13572 -
75,000 $0.13500 -
0 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 7.9A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 1.8V, 4.5V
rds オン (最大) @ id、vgs 28mOhm @ 5.1A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 1V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 18 nC @ 8 V
vgs (最大) ±8V
入力容量(ciss)(最大)@vds 666 pF @ 10 V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 6-TSOP
パッケージ/ケース SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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関連部品番号

SSM3J145TU,LXHF
AOW25S65
RJK0854DPB-00#J5
SI7461DP-T1-E3
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$0 $/ピース
STD45N10F7
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$0 $/ピース
CSD17570Q5B
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$0 $/ピース
SIHP690N60E-GE3
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$0 $/ピース
STF26N60M2
STF26N60M2
$0 $/ピース
BSS119NH7978XTSA1
NTMFS0D7N03CGT1G
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$0 $/ピース

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