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SI3475DV-T1-GE3

SI3475DV-T1-GE3

SI3475DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP

SOT-23

非準拠

SI3475DV-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ P-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 200 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 950mA (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) -
rds オン (最大) @ id、vgs 1.61Ohm @ 900mA, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 18 nC @ 10 V
vgs (最大) -
入力容量(ciss)(最大)@vds 500 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) -
動作温度 -
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 6-TSOP
パッケージ/ケース SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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