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SI3499DV-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 8V 5.3A 6TSOP

非準拠

SI3499DV-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.47560 -
6,000 $0.45327 -
15,000 $0.43732 -
6387 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 8 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 5.3A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 1.5V, 4.5V
rds オン (最大) @ id、vgs 23mOhm @ 7A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 750mV @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 42 nC @ 4.5 V
vgs (最大) ±5V
入力容量(ciss)(最大)@vds -
FET機能 -
消費電力(最大) 1.1W (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 6-TSOP
パッケージ/ケース SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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