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SI3552DV-T1-GE3

SI3552DV-T1-GE3

SI3552DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP

compliant

SI3552DV-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.35595 -
6,000 $0.33285 -
15,000 $0.32130 -
30,000 $0.31500 -
0 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N and P-Channel
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 2.5A
rds オン (最大) @ id、vgs 105mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 1V @ 250µA (Min)
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 3.2nC @ 5V
入力容量(ciss)(最大)@vds -
パワー - 最大 1.15W
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
サプライヤーデバイスパッケージ 6-TSOP
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