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SI3900DV-T1-GE3

SI3900DV-T1-GE3

SI3900DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP

SOT-23

非準拠

SI3900DV-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.45920 -
6,000 $0.43764 -
15,000 $0.42224 -
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel (Dual)
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 2A
rds オン (最大) @ id、vgs 125mOhm @ 2.4A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 1.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 4nC @ 4.5V
入力容量(ciss)(最大)@vds -
パワー - 最大 830mW
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
サプライヤーデバイスパッケージ 6-TSOP
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