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SI4462DY-T1-E3

SI4462DY-T1-E3

SI4462DY-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 200V 1.15A 8-SOIC

compliant

SI4462DY-T1-E3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 200 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 1.15A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) -
rds オン (最大) @ id、vgs 480mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 9 nC @ 10 V
vgs (最大) -
入力容量(ciss)(最大)@vds -
FET機能 -
消費電力(最大) -
動作温度 -
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 8-SOIC
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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