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SI4501BDY-T1-GE3

SI4501BDY-T1-GE3

SI4501BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC

非準拠

SI4501BDY-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
2,500 $0.27120 -
5,000 $0.25360 -
12,500 $0.24480 -
25,000 $0.24000 -
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N and P-Channel, Common Drain
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30V, 8V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 12A, 8A
rds オン (最大) @ id、vgs 17mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 25nC @ 10V
入力容量(ciss)(最大)@vds 805pF @ 15V
パワー - 最大 4.5W, 3.1W
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ 8-SOIC
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