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SI4866DY-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 12V 11A 8SO

SOT-23

非準拠

SI4866DY-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
2,500 $1.12535 -
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 12 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 11A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 2.5V, 4.5V
rds オン (最大) @ id、vgs 5.5mOhm @ 17A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 600mV @ 250µA (Min)
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 30 nC @ 4.5 V
vgs (最大) ±8V
入力容量(ciss)(最大)@vds -
FET機能 -
消費電力(最大) 1.6W (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 8-SOIC
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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