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SI4936BDY-T1-E3

SI4936BDY-T1-E3

SI4936BDY-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

compliant

SI4936BDY-T1-E3 価格と注文

単価 外貨価格
2,500 $0.36159 -
5,000 $0.33665 -
12,500 $0.32418 -
25,000 $0.31738 -
307 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel (Dual)
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 6.9A
rds オン (最大) @ id、vgs 35mOhm @ 5.9A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 15nC @ 10V
入力容量(ciss)(最大)@vds 530pF @ 15V
パワー - 最大 2.8W
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ 8-SOIC
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関連部品番号

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PMDXB1200UPEZ
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