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SI4967DY-T1-GE3

SI4967DY-T1-GE3

SI4967DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC

非準拠

SI4967DY-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ 2 P-Channel (Dual)
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 12V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c -
rds オン (最大) @ id、vgs 23mOhm @ 7.5A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 450mV @ 250µA (Min)
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 55nC @ 10V
入力容量(ciss)(最大)@vds -
パワー - 最大 2W
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ 8-SOIC
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