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SI5402DC-T1-E3

SI5402DC-T1-E3

SI5402DC-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8

非準拠

SI5402DC-T1-E3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 4.9A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 35mOhm @ 4.9A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 1V @ 250µA (Min)
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 20 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds -
FET機能 -
消費電力(最大) 1.3W (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 1206-8 ChipFET™
パッケージ/ケース 8-SMD, Flat Lead
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