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SI5424DC-T1-GE3

SI5424DC-T1-GE3

SI5424DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8

compliant

SI5424DC-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.30510 -
6,000 $0.28530 -
15,000 $0.27540 -
30,000 $0.27000 -
6000 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 6A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 24mOhm @ 4.8A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.3V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 32 nC @ 10 V
vgs (最大) ±25V
入力容量(ciss)(最大)@vds 950 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2.5W (Ta), 6.25W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 1206-8 ChipFET™
パッケージ/ケース 8-SMD, Flat Lead
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関連部品番号

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BUK7E11-55B,127
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$0 $/ピース
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PJA3405-AU_R1_000A1
MPF4391RLRA
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$0 $/ピース
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STL285N4F7AG
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$0 $/ピース
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$0 $/ピース

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