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SI5442DU-T1-GE3

SI5442DU-T1-GE3

SI5442DU-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 20V 25A PPAK

非準拠

SI5442DU-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.27120 -
6,000 $0.25360 -
15,000 $0.24480 -
30,000 $0.24000 -
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 25A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 1.8V, 4.5V
rds オン (最大) @ id、vgs 10mOhm @ 8A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 900mV @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 45 nC @ 8 V
vgs (最大) ±8V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1700 pF @ 10 V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.1W (Ta), 31W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® ChipFet Single
パッケージ/ケース PowerPAK® ChipFET™ Single
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