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SI5471DC-T1-GE3

SI5471DC-T1-GE3

SI5471DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8

SOT-23

非準拠

SI5471DC-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.32205 -
6,000 $0.30115 -
15,000 $0.29070 -
30,000 $0.28500 -
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 6A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 1.8V, 4.5V
rds オン (最大) @ id、vgs 20mOhm @ 9.1A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 1.1V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 96 nC @ 10 V
vgs (最大) ±12V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2945 pF @ 10 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2.5W (Ta), 6.3W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 1206-8 ChipFET™
パッケージ/ケース 8-SMD, Flat Lead
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関連部品番号

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PMV45EN,215
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