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SI5511DC-T1-GE3

SI5511DC-T1-GE3

SI5511DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8

compliant

SI5511DC-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ N and P-Channel
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 4A, 3.6A
rds オン (最大) @ id、vgs 55mOhm @ 4.8A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 2V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 7.1nC @ 5V
入力容量(ciss)(最大)@vds 435pF @ 15V
パワー - 最大 3.1W, 2.6W
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-SMD, Flat Lead
サプライヤーデバイスパッケージ 1206-8 ChipFET™
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関連部品番号

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