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SI5515CDC-T1-E3

SI5515CDC-T1-E3

SI5515CDC-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8

compliant

SI5515CDC-T1-E3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.35595 -
6,000 $0.33285 -
15,000 $0.32130 -
30,000 $0.31500 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N and P-Channel
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 4A (Tc)
rds オン (最大) @ id、vgs 36mOhm @ 6A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 800mV @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 11.3nC @ 5V
入力容量(ciss)(最大)@vds 632pF @ 10V
パワー - 最大 3.1W
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-SMD, Flat Lead
サプライヤーデバイスパッケージ 1206-8 ChipFET™
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