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SI5856DC-T1-E3

SI5856DC-T1-E3

SI5856DC-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 20V 4.4A 1206-8

compliant

SI5856DC-T1-E3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 4.4A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 1.8V, 4.5V
rds オン (最大) @ id、vgs 40mOhm @ 4.4A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 1V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 7.5 nC @ 4.5 V
vgs (最大) ±8V
入力容量(ciss)(最大)@vds -
FET機能 Schottky Diode (Isolated)
消費電力(最大) 1.1W (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 1206-8 ChipFET™
パッケージ/ケース 8-SMD, Flat Lead
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関連部品番号

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BUK7226-75A,118
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