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SI5858DU-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET

compliant

SI5858DU-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 6A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 1.8V, 4.5V
rds オン (最大) @ id、vgs 39mOhm @ 4.4A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 1V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 16 nC @ 8 V
vgs (最大) ±8V
入力容量(ciss)(最大)@vds 520 pF @ 10 V
FET機能 Schottky Diode (Isolated)
消費電力(最大) 2.3W (Ta), 8.3W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® ChipFET™ Single
パッケージ/ケース PowerPAK® ChipFET™ Single
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関連部品番号

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FQPF1N50
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FQP3N40
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