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SI5920DC-T1-E3

SI5920DC-T1-E3

SI5920DC-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8

非準拠

SI5920DC-T1-E3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
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0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ 2 N-Channel (Dual)
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 8V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 4A
rds オン (最大) @ id、vgs 32mOhm @ 6.8A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 1V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 12nC @ 5V
入力容量(ciss)(最大)@vds 680pF @ 4V
パワー - 最大 3.12W
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-SMD, Flat Lead
サプライヤーデバイスパッケージ 1206-8 ChipFET™
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関連部品番号

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$0 $/ピース
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