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名前 | 価値 |
---|---|
製品ステータス | Obsolete |
FETタイプ | P-Channel |
テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース電圧 (vdss) | 20 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c | 7.2A (Ta) |
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) | 1.8V, 4.5V |
rds オン (最大) @ id、vgs | 10mOhm @ 8.8A, 4.5V |
vgs(th) (最大) @ id | 800mV @ 400µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs | 105 nC @ 5 V |
vgs (最大) | ±8V |
入力容量(ciss)(最大)@vds | - |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 1.05W (Ta) |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取り付けタイプ | Surface Mount |
サプライヤーデバイスパッケージ | 8-TSSOP |
パッケージ/ケース | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
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