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SI6473DQ-T1-E3

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Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 6.2A 8TSSOP

compliant

SI6473DQ-T1-E3 価格と注文

単価 外貨価格
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ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ P-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 6.2A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 1.8V, 4.5V
rds オン (最大) @ id、vgs 12.5mOhm @ 9.5A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 450mV @ 250µA (Min)
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 70 nC @ 5 V
vgs (最大) ±8V
入力容量(ciss)(最大)@vds -
FET機能 -
消費電力(最大) 1.08W (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 8-TSSOP
パッケージ/ケース 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
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