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SI7100DN-T1-E3

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SI7100DN-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 8V 35A PPAK1212-8

compliant

SI7100DN-T1-E3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 8 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 35A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 2.5V, 4.5V
rds オン (最大) @ id、vgs 3.5mOhm @ 15A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 1V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 105 nC @ 8 V
vgs (最大) ±8V
入力容量(ciss)(最大)@vds 3810 pF @ 4 V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.8W (Ta), 52W (Tc)
動作温度 -50°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® 1212-8
パッケージ/ケース PowerPAK® 1212-8
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