ichome.comへようこそ!

logo

SI7106DN-T1-GE3

SI7106DN-T1-GE3

SI7106DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 20V 12.5A PPAK1212-8

非準拠

SI7106DN-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.61041 -
6,000 $0.58175 -
15,000 $0.56128 -
0 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 12.5A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 2.5V, 4.5V
rds オン (最大) @ id、vgs 6.2mOhm @ 19.5A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 1.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 27 nC @ 4.5 V
vgs (最大) ±12V
入力容量(ciss)(最大)@vds -
FET機能 -
消費電力(最大) 1.5W (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® 1212-8
パッケージ/ケース PowerPAK® 1212-8
PDFの読み込みに失敗しました。新しいウィンドウで開いてアクセスしてみてください。 [開ける], またはクリックして戻る

関連部品番号

SI4134DY-T1-E3
SI4134DY-T1-E3
$0 $/ピース
SIDR170DP-T1-RE3
SIDR170DP-T1-RE3
$0 $/ピース
IPP050N10NF2SAKMA1
NVGS4111PT1G
NVGS4111PT1G
$0 $/ピース
RCJ050N25TL
RCJ050N25TL
$0 $/ピース
FCPF9N60NTYDTU
FCPF9N60NTYDTU
$0 $/ピース
IPI65R190C
IPI65R190C
$0 $/ピース
STF11NM60ND
STF11NM60ND
$0 $/ピース
SSM3K56CT,L3F
NVMFS5C410NAFT3G
NVMFS5C410NAFT3G
$0 $/ピース

エレクトロニクス分野の信頼できるパートナー

お客様の期待を上回ることに専念。 IChome: エレクトロニクス業界向けに再定義されたカスタマー サービス。