ichome.comへようこそ!

logo

SI7110DN-T1-E3

SI7110DN-T1-E3

SI7110DN-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 20V 13.5A PPAK1212-8

非準拠

SI7110DN-T1-E3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.80721 -
6,000 $0.76931 -
0 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 13.5A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 5.3mOhm @ 21.1A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 21 nC @ 4.5 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds -
FET機能 -
消費電力(最大) 1.5W (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® 1212-8
パッケージ/ケース PowerPAK® 1212-8
PDFの読み込みに失敗しました。新しいウィンドウで開いてアクセスしてみてください。 [開ける], またはクリックして戻る

関連部品番号

NTB22N06T4
NTB22N06T4
$0 $/ピース
SQM40081EL_GE3
SQM40081EL_GE3
$0 $/ピース
TBB1012MMTL-H
EMH1303-TL-E
EMH1303-TL-E
$0 $/ピース
SCT20N120H
SCT20N120H
$0 $/ピース
BSD314SPE L6327
BUK9628-100A,118
BUK9628-100A,118
$0 $/ピース
SQ2318AES-T1_BE3
SQ2318AES-T1_BE3
$0 $/ピース
TN0620N3-G-P002
2N6660
2N6660
$0 $/ピース

エレクトロニクス分野の信頼できるパートナー

お客様の期待を上回ることに専念。 IChome: エレクトロニクス業界向けに再定義されたカスタマー サービス。